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O: Oberflächenphysik
O 2: Zeitaufgelöste elektronische Struktur
O 2.6: Vortrag
Montag, 17. März 1997, 10:45–11:00, S 1
Anregungsmechanismen, Transport und Relaxationsraten
von heißen Elektronen in Kupfer — •E. Knoesel, A. Hotzel, M. Wolf und G. Ertl — Fritz-Haber-Institut, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin
Die Relaxationsraten angeregter Elektronen auf Cu(111) wurden mit
zeitaufgelöster Zwei-Photonen-Photoemissionsspektroskopie bei
variabler Photonenenergie untersucht. Die Relaxationsraten variieren
von 250 fs bei 0.1 eV über EFermi bis zu 20 fs bei 2 eV über
EFermi, wobei für E−EF>1.2 eV eine Abhängigkeit von der
Anregungsenergie beobachtet wurde. Dabei zeigen Elektronen, die
nicht durch einen direkten Übergang von einem d-Band in ein sp-Band
angeregt werden, deutlich längere Relaxationsraten. Diese
scheinbar längeren Lebensdauern können durch einen indirekten
Anregungsmechanismus via Augerzerfall der photogenerierten d-Löcher
erklärt werden.
Unterschiedliche Geschwindigkeitskomponenten senkrecht zur
Oberfläche führen teilweise zum raschen Verschwinden angeregter
Elektronen aus dem Detektionsvolumen. Unter Berücksichtigung
dieses Transporteffektes werden die Lebensdauern der Elektronen
diskutiert und mit Simulationen, die Kaskadenprozesse einschließen,
verglichen.