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Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 2: Zeitaufgelöste elektronische Struktur

O 2.6: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 10:45–11:00, S 1

Anregungsmechanismen, Transport und Relaxationsraten
von heißen Elektronen in Kupfer
— •E. Knoesel, A. Hotzel, M. Wolf und G. Ertl — Fritz-Haber-Institut, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin

Die Relaxationsraten angeregter Elektronen auf Cu(111) wurden mit zeitaufgelöster Zwei-Photonen-Photoemissionsspektroskopie bei variabler Photonenenergie untersucht. Die Relaxationsraten variieren von 250 fs bei 0.1 eV über EFermi bis zu 20 fs bei 2 eV über EFermi, wobei für EEF>1.2 eV eine Abhängigkeit von der Anregungsenergie beobachtet wurde. Dabei zeigen Elektronen, die nicht durch einen direkten Übergang von einem d-Band in ein sp-Band angeregt werden, deutlich längere Relaxationsraten. Diese scheinbar längeren Lebensdauern können durch einen indirekten Anregungsmechanismus via Augerzerfall der photogenerierten d-Löcher erklärt werden.
Unterschiedliche Geschwindigkeitskomponenten senkrecht zur Oberfläche führen teilweise zum raschen Verschwinden angeregter Elektronen aus dem Detektionsvolumen. Unter Berücksichtigung dieses Transporteffektes werden die Lebensdauern der Elektronen diskutiert und mit Simulationen, die Kaskadenprozesse einschließen, verglichen.

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