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O: Oberflächenphysik

O 20: Optische Nahfeld-Mikroskopie

O 20.10: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 18:15–18:30, BOT

Dielektrischer Kontrast im Langwellen-SNOM: Erklärung duch 1dim. Kondensatormodell — •Bernhard Knoll, Fritz Keilmann, Axel Kramer und Reinhard Guckenberger — Max-Planck-Institut für Biochemie, 82152 Martinsried

Bisher wurden nahfeldoptische Mikroskope (SNOM) zumeist im sichtbaren Spektralbereich betrieben. Hingegen sind v. a. bei größeren Wellenlängen interessante Kontraste bei gleichzeitig hoher (da von λ unabhängiger) Auflösung zu erwarten. So z. B. die Unterscheidung verschiedener Moleküle im Infraroten (Absorptionskontrast) oder Leitfähigkeits- bzw. dielektrischer Kontrast. Letzteres wurde von uns ausgenutzt, um mit Mikrowellen (λ = 20 cm) strukturierte Pt/C-Filme abzubilden. Durch den Einsatz von Koaxialspitzen konnte eine laterale Auflösung von 200 nm erzielt werden. Den beobachteten Transmissionskontrast erklären wir mit einem 1dim. Kondensatormodell, das allgemein in Strukturen << λ angewandt und somit auch für die Deutung der Kontrastbildung im Sichtbaren herangezogen werden kann.