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O: Oberflächenphysik

O 22: POSTER II

O 22.20: Poster

Mittwoch, 19. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Photoemission an Si/GaSb/Si(100) Schichtsystemen — •U. Wesskamp, A. Chatziparaskewas, O. Kollmann, Y.C. Lim, J. Schmalhorst, T. Tappe und B. Schmiedeskamp — Fakultät für Physik, Universität Bielefeld, Universitätsstraße 25, D-33615 Bielefeld

Gezielte Variationen der Bandschemata sind von grundlegender Bedeutung für die Entwicklung neuer Halbleiterbauelemente. In unseren Experimenten untersuchen wir die Möglichkeit, künstliche Banddiskontinuitäten durch das Einbringen extrem dünner (ungefähr eine Monolage) Dipol – Zwischenschichten in Gruppe IV Elementhalbleiter zu erzeugen. Als Substratmaterial wurde Si(100) ausgewählt, für die Zwischenschicht der III – V Halbleiter GaSb.
Zur Untersuchung der Größe und Orientierung möglicher Dipolstrukturen wurden Photoelektronenspektren (XPS) der Si 2p, Ga 3d und Sb 4d Rumpfniveaus aufgenommen. Diese Arbeiten wurden am Berliner Elektronenspeicherring für Synchrotronstrahlung (BESSY) durchgeführt. Zusätzliche Studien mit Ionenstreuung (MEIS) und Augerelektronenspektoskopie (AES) lieferten Informationen über die epitaktische Qualität und die geometrische Struktur der Schichtsysteme.