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O: Oberflächenphysik
O 22: POSTER II
O 22.27: Poster
Wednesday, March 19, 1997, 14:15–15:45, AULA
Elektronische Struktur der HfS2-Oberfläche — •T. Seydel1, M. Boehme1, M. Traving1, L. Kipp1, M. Skibowski1, F. Starrost2, E.E. Krasovskii2 und W. Schattke2 — 1Institut für Experimentalphysik, Universität Kiel, D-24098 Kiel — 2Institut für Theoretische Physik, Universität Kiel, D-24098 Kiel
Wir stellen die Ergebnisse unserer Untersuchungen am halbleitenden Schichtkristall Hafniumdisulfid (HfS2) vor. Die Messungen zur besetzten Bandstruktur erfolgten mittels winkelaufgelöster Photoemission (ARPES), wobei mit variabler Photonenenergie (Synchrotronstrahlung von DORIS III) angeregt wurde. Gemessen wurde entlang der hochsymmetrischen Richtungen ΓM, ΓM‵ und ΓK parallel zur Oberfläche sowie ΓA senkrecht dazu. Die Meßergebnisse werden mit Bandstrukturrechnungen verglichen, die auf der ELAPW-Methode beruhen. Im Zusammenhang mit den k⊥-Messungen wird die Lage des Valenzbandmaximums diskutiert.