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O: Oberflächenphysik

O 22: POSTER II

O 22.27: Poster

Mittwoch, 19. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Elektronische Struktur der HfS₂-Oberfläche — •T. Seydel¹, M. Boehme¹, M. Traving¹, L. Kipp¹, M. Skibowski¹, F. Starrost², E.E. Krasovskii² und W. Schattke² — ¹Institut für Experimentalphysik, Universität Kiel, D-24098 Kiel — ²Institut für Theoretische Physik, Universität Kiel, D-24098 Kiel

Wir stellen die Ergebnisse unserer Untersuchungen am halbleitenden Schichtkristall Hafniumdisulfid (HfS₂) vor. Die Messungen zur besetzten Bandstruktur erfolgten mittels winkelaufgelöster Photoemission (ARPES), wobei mit variabler Photonenenergie (Synchrotronstrahlung von DORIS III) angeregt wurde. Gemessen wurde entlang der hochsymmetrischen Richtungen ΓM, ΓM^‵ und ΓK parallel zur Oberfläche sowie ΓA senkrecht dazu. Die Meßergebnisse werden mit Bandstrukturrechnungen verglichen, die auf der ELAPW-Methode beruhen. Im Zusammenhang mit den k_⊥-Messungen wird die Lage des Valenzbandmaximums diskutiert.