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O: Oberflächenphysik

O 22: POSTER II

O 22.44: Poster

Mittwoch, 19. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Aufbau eines UHV-Rastertunnelmikroskops zur Untersuchung der Wachstumsstadien dünner Schichten — •D. Haude, Ch. Witt, M. Bode und R. Wiesendanger — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, D-20355 Hamburg

Es wird ein neuartiges Rastertunnelmikroskop zur in-situ-Untersuchung des Wachstums dünner Schichten vorgestellt. Der Verfahrweg der Probe im Mikroskop ist um 60^∘ gegen die Normale geneigt. Diese Geometrie erlaubt die Epitaxie dünner Schichten in senkrechter Bedampfungsrichtung, ohne daß die Probe aus dem Mikroskop genommen werden müßte. Es treten keine Abschattungseffekte durch Stufenkanten auf, und die Spitze wird durch die Bedampfung nicht beeinflußt. Nach der Bedampfung kann die vorher beobachtete Stelle mit einer Genauigkeit von unter 100nm wiedergefunden werden.

Das Durchlaufen mehrerer Beobachtungs- und Wachstumszyklen erlaubt das zeitaufgelöste Studium der Wachstumsdynamik an interessanten Stellen des Substrates, z.B. an Defekten oder Nukleationskeimen. Auf diese Weise wurden u.a. Bildsequenzen einzelner Stellen einer einkristallinen Cr(100)-Oberfläche während des Wachstums eines Cr-Films gewonnen.