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O: Oberflächenphysik

O 22: POSTER II

O 22.56: Poster

Mittwoch, 19. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Neue Resultate in der optischen Nahfeldlithografie — •S. Wegscheider, B. Schneider, G. Krausch*, V. Sandoghdar und J. Mlynek — Fakultät für Physik, Universität Konstanz, Universitätsstr. 10, D-78465 Konstanz

In der optischen Nahfeldlithografie wird die gezogene Glasfaserspitze eines optischen Nahfeldmikroskops (SNOM) verwendet um das Beugungslimit zu unterschreiten und Strukturen unterhalb 100nm zu erzeugen. Wir stellen Ergebnisse verschiedener Strukturierungsmechanismen vor. Diese beinhalten die Veränderung der optischen Eigenschaften von Halbleiterschichten (WO3) ohne Veränderung der Topografie sowie Ergebnisse der Strukturierung mittels photoinduzierter radikalischer Polymerisation.

 
* neue Anschrift: Institut für Physikalische Chemie, LMU München, Theresienstr. 39, D-80333 München

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