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O: Oberflächenphysik

O 22: POSTER II

O 22.57: Poster

Mittwoch, 19. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Metallorganische MBE (MOMBE) mit Cp^*Ga — •A. Aschentrup¹, A. Moltchanov¹, T. Tappe¹, B. Schmiedeskamp¹, G. Reumann² und P. Jutzi² — ¹Fakultät für Physik, Universität Bielefeld, Universitätsstraße 25, D-33615 Bielefeld — ²Fakultät für Chemie, Universität Bielefeld, Universitätsstraße 25, D-33615 Bielefeld

Das Auffinden weiterer geeigneter Precursorverbindungen für

MOMBE/CBE wird auch in Zukunft von großem Interesse sein, insbesondere auf den Feldern der selektiven Epitaxie und der single-source Precursoren. Um die Zerlegung von neuen Precusormolekülen und MOMBE–Abscheidungen mit diesen Molekülen zu untersuchen, wurde eine entsprechende Apparatur mit Crackerzelle aufgebaut, die auch mit kleinen Precursordampfdrücken betreibbar ist. Als erstes Molekül wurde Pentamethylcyclopentadienylgallium(I) (Cp^*Ga) verwendet. Das Zerlegungsverhalten dieses Moleküls wurde mit Massenspektrometrie untersucht. Auf Si(100) Substraten wurden Galliumschichten abgechieden (1-30ML) und mit mittelenergetischer Ionenstreung (MEIS) untersucht, um Informationen über Schichtdicke und -qualität zu erhalten.