Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 24: Homo-/Hetero-Epitaxie auf Si
O 24.10: Vortrag
Mittwoch, 19. März 1997, 18:15–18:30, S 1
LEEM-Untersuchungen zum Interfactant-induzierten quasi-
Frank-van der Merwe Wachstum von Pb auf Si(111) — •Thomas Schmidt1, Gerhard Lilienkamp2 und Ernst Bauer2 — 1ELETTRA, Sincrotrone Trieste, SS.14 - km 163.5 Basovizza, 34012 Trieste, Italien — 2Physikalisches Institut, Technische Universität Clausthal, Leibnizstr. 4, 38678 Clausthal-Zellerfeld
Das Wachstum von Pb auf Si(111) wurde mit LEEM (Low Energy Electron Microscopy) und LEED untersucht. Bei Raumtemperatur wächst Pb auf der reinen Si(111)-7x7-Oberfläche im Stransky-Krastanov-Modus. Durch Prädeposition von Gold oder Silber wird das Pb-Wachstum entscheidend beeinflußt: bei geeigneter Präparation der Unterlage kann ein lagenweises Wachstum erreicht werden. Eine derartige Wirkung auf das Wachstumsverhalten ist bei der Verwendung eines Surfactants hinlänglich bekannt. Im Gegensatz zum Surfactant, das auf einer wachsenden Schicht schwimmt, verbleibt aber das Interfactant (hier: Gold oder Silber) an der Grenzfläche zwischen Substrat und Adsorbat.