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O: Oberflächenphysik

O 24: Homo-/Hetero-Epitaxie auf Si

O 24.4: Vortrag

Mittwoch, 19. März 1997, 16:45–17:00, S 1

Vergleich von klassischer und tight-binding Molekulardynamik des Siliziumwachstums — •P. Klein¹, H. Hensel¹, H. M. Urbassek¹ und Th. Frauenheim² — ¹Fachbereich Physik, Universität Kaiserslautern, Erwin-Schrödinger-Straße, D-67663 Kaiserslautern — ²Institut für Physik, Theoretische Physik III, Technische Universität, D-09107 Chemnitz

Wir studieren das Wachstum auf einer (100)-Si-Oberfläche durch Deposition von 2 eV Si-Atomen mittels der Molekulardynamik-Methode. Zwei unterschiedliche Darstellungen der Si-Si-Wechselwirkung werden verwendet: ein klassisches Potential nach Stillinger und Weber sowie ein quantenmechanisches tight-binding Potential nach Frauenheim et. al. Unser Augenmerk liegt vor allem auf der Struktur des aufgewachsenen Materials; hier beobachten wir klare Unterschiede zwischen den Ergebnissen der beiden Simulationen. Quantitativ zeigen sich diese Unterschiede in der Teilchendichte, Paarverteilung, Bindungs- und Diederwinkelverteilung sowie in der Ringstatistik. Wir schließen daraus, daß das klassische Potential zu inflexibel ist um Korrelationen von mittlerer Reichweite in Si zu beschreiben.