Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 24: Homo-/Hetero-Epitaxie auf Si

O 24.6: Vortrag

Mittwoch, 19. März 1997, 17:15–17:30, S 1

Nanostrukturierung von Siliciumoberflächen durch STM-induzierte Zersetzung von Silanen — •H. Rauscher, F. Behrendt und R. J. Behm — Abt. Oberflächenchemie und Katalyse, Universität Ulm, Albert-Einstein-Allee 47, 89069 Ulm

Nanostrukturen mit lateralen Abmessungen von weniger als 10 Nanometern wurden auf Silicium durch tunnelmikroskop-induzierte Zersetzung (STM-CVD) der Precursorgase Monosilan und Dichlorsilan hergestellt. Die Moleküle werden zwischen der Tunnelspitze und der Oberfläche durch Wechselwirkung mit dem elektrischen Feld und/oder mit freien Elektronen, die aus der Spitze emittiert werden, aktiviert. Auf diese Weise werden hochreaktive Spezies (molekulare Fragmente) erzeugt. Diese Fragmente können sich direkt unterhalb der Tunnelspitze auf der Oberfläche anreichern und bauen so die Nanostruktur auf. Durch Analyse des Depositionsverhaltens in der Nähe der Schwellenspannung zur Abscheidung können weitere Informationen über den dort überwiegenden Depositionsmechanismus gewonnen werden. Sehr wahrscheinlich handelt es sich beim ersten Prozeß, welcher zur Aktivierung der Moleküle beiträgt, um dissoziative Elektronenanlagerung.