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Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 24: Homo-/Hetero-Epitaxie auf Si

Mittwoch, 19. März 1997, 16:00–18:45, S 1

16:00 O 24.1 Nukleation in der Si(001) Homoepitaxie — •Wolfgang Theis und Ruud M. Tromp
16:15 O 24.2 Nanostructuring on Si(001) using self-organisation — •H.J.W. Zandvliet and Bene Poelsema
16:30 O 24.3 Molekulardynamische Simulationen zur Deposition von Siliziumschichten mit energetischen Ionen — •H. Hensel und H. M. Urbassek
16:45 O 24.4 Vergleich von klassischer und tight-binding Molekulardynamik des Siliziumwachstums — •P. Klein, H. Hensel, H. M. Urbassek und Th. Frauenheim
17:00 O 24.5 Bildung metastabiler SiH2-Tetramerstrukturen während der
Dissoziation von SiH4 auf Si(100)2×1
— •J. Spitzmüller, M. Fehrenbacher, M. Pitter, H. Rauscher und R. J. Behm
17:15 O 24.6 Nanostrukturierung von Siliciumoberflächen durch STM-induzierte Zersetzung von Silanen — •H. Rauscher, F. Behrendt und R. J. Behm
17:30 O 24.7 Adsorption und Dissoziation von TEOS auf Si(111)-7×7 — •J. Braun, J. Spitzmüller, H. Rauscher und R. J. Behm
17:45 O 24.8 Analyse des heteroepitaktischen Wachstums von Ge auf Si(111) mittels Photoelektronenholographie — •S. Dreiner, C. Westphal, F. Sökeland und H. Zacharias
18:00 O 24.9 Atomarer Wasserstoff — ideales Surfactant? — •Th. Schmidt, J. Falta, C. Sanchez-Hanke, A. Hille, O. Mielmann und G. Materlik
18:15 O 24.10 LEEM-Untersuchungen zum Interfactant-induzierten quasi-
Frank-van der Merwe Wachstum von Pb auf Si(111)
— •Thomas Schmidt, Gerhard Lilienkamp und Ernst Bauer
18:30 O 24.11 Untersuchungen zur Adsorption und Dissoziation von Fe(CO)5 auf Si(111) mit zeitaufgelöster HREELS — •P.-R. Steiner und H. Froitzheim
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