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O: Oberflächenphysik

O 28: Metall/Metall-Epitaxie II

O 28.1: Talk

Thursday, March 20, 1997, 11:15–11:30, S 10

STM- und RHEED-Untersuchungen des Wachstums ultradünner Co-Schichten auf Cu(100) — •F. Nouvertné, U. May, R. Berndt und G. Güntherodt — II. Physikalisches Institut der Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule Aachen, 52056 Aachen

Das epitaktische Wachstum von Co/Cu(100) wurde mittels STM und RHEED im Schichtdickenbereich von 0 bis 2 Monolagen untersucht. Mit einem Echtzeit-RHEED-System und verbesserter lateraler Auflösung wurde im untersuchten Schichtdickenbereich eine starke Abhängigkeit der monolagen-periodischen in-plane-Gitterrelaxation der Oberfläche von der Depositionsrate gefunden [1]. Die Modellannahme für den Relaxationsmechanismus basiert auf einer Vielzahl von kleinen Inseln für hohe Depositionsraten und umgekehrt, was durch die STM-Studie bestätigt werden konnte. Im Bereich unter 2 Monolagen Bedeckung finden wir für kleine Depositionsraten oder erhöhte Temperaturen nur geringe Abweichungen von lagenweisem Wachstum, bei hohen Raten Inselwachstum. Während die Volumenmischbarkeit von Co und Cu gering ist, gibt es im untersuchten Schichtdickenbereich Anzeichen für Interdiffusion und Legierungsbildung, deren Stärke von der Substrattemperatur und der Depositionsrate abhängt.

[1] J. Faßbender et al., Phys.Rev.Lett 75, 4476-4479 (1996)