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O: Oberflächenphysik
O 28: Metall/Metall-Epitaxie II
O 28.3: Talk
Thursday, March 20, 1997, 11:45–12:00, S 10
Wachstum von Ir auf Cu(100) — •Gerhard Gilarowski1 und Horst Niehus2 — 1Institut für Physik, Oberflächenphysik und Atomstoßprozesse, Humboldt-Universität zu Berlin, Invalidenstraße 110, 10115 Berlin — 2Institut für Physik, Oberflächenphysik und= Atomstoßprozesse, Humboldt-Universität zu Berlin, Invalidenstraße 110, 10115 Berlin
Es wurde das Wachstumsverhalten von Ir Schichten bis 3 ML auf Cu(100) mit
Hilfe von STM, UPS und LEED untersucht. Im Submonolagenbereich zeigen
STM-Bilder zwei unterschiedliche Inselformen - lineare Ketten mit einer
Höhe von 1,2 Å sowie runde zweidimensionale Inseln der Höhe 2 Å.
Die gleichzeitig beobachtete Aufrauhung der Cu Stufenkanten deutet auf eine
Legierungsbildung hin. Ein Vergleich mit der Ir/Cu(110)-Oberfläche zeigt
allerdings, daß bei Cu(100) die Aufrauhung der Oberfläche wesentlich
geringer ist. Tempern dieser Schichten auf etwa 400 K ergibt eine atomar
glatte Oberfläche mit atomaren Fehlstellen. Bei Schichten größer als eine
Monolage geht eine diffuse (1x1) LEED-Struktur nach Tempern in eine
p(2x2)-Struktur über. UPS-Spektren der Ir Schichten zeigen im Vergleich zur
reinen Oberfläche eine deutliche Erhöhung der Zustandsdichte in der Nähe
des Ferminiveaus. Wachstumsmechanismen und epitaktische Relationen zur
Unterlage werden diskutiert.
Diese Arbeit wurde von der DFG im Sfb 290 TP B7 gefördert.