Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 29: Metalle auf Halbleitern I

O 29.6: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 12:30–12:45, S 1

Oberflächenröntgenbeugung an Cs/Si(001)(2x1) und
K/Si(001)(2x1) — •H.L. Meyerheim¹, N. Jedrecy² und M. Sauvage-Simkin² — ¹Institut für Kristallographie und Angew. Mineralogie d. Univ. München, Theresienstr. 41, 80333 München — ²LURE, Bat. 209D, F-91405 Orsay

Mittels Oberflächenröntgenbeugung wurden die Adsorptionsgeometrien von Cs und K auf Si(001)(2x1) analysiert. Die Messungen erfolgten am Strahlrohr DW12 des Elektronenspeicherrings DCI in Orsay mit einer Wellenlänge von 0.887 Å. Cs und K wurden in situ auf die Si(001)(2x1) Obrfläche (mittlere Terrassengröße ca. 3000 Å) bis zur Sättigung des (3/2,0,0) Überstrukturreflexes aufgedampft, anschließend erfolgte die Messung der Grund-und Überstrukturstäbe bis zu einer maximalen z-Komponente des Beugungsvektors von q_z=0.44 Å⁻¹ (2.40 rez. Gittereinheiten). Vergleichbar mit der Adsorption auf Ge(001)(2x1) [1] adsorbiert Cs innerhalb der durch die Si(001)(2x1) Rekonstruktion bedingten breiten Gräben der Oberfläche, hier oberhalb des Si-Atoms der dritten Schicht (T3 oder Valley-Bridge Site). Eine geringe Besetzung erfolgt auch nahe der Si-Dimere. Für K/Si(001) wird eine Struktur beobachtet, in der eine Reihe unterschiedlicher, asymmetrischer Positionen besetzt wird. Die Analysen sind noch im Gange.

[1] H. L. Meyerheim, R. Sawitzki, W. Moritz, Phys. Rev. B 52, 16830 (1995)