Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 31: Raster-Tunnel-Mikroskopie

O 31.6: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 12:30–12:45, BOT

Berechnung der Thermospannung in der Rastertunnelmikroskopie für eine defekte Cu(111)-Oberfläche — •D. Drakova¹ and G. Doyen² — ¹Universiät Sofia, Bulgarien — ²Institut für Physikalische Chemie, Ludwig-Maximilians-Universität München

Die laterale Variation der Thermospannung an Defekten auf Cu(111) wird mit Hilfe der Streutheorie und des Greenfunktionsformalismus berechnet. Im Gegensatz zur Theorie von Støvneng und Lipavský [1] wird der Tunnelstrom innerhalb des Modells exakt berechnet und daraus die Thermospannung in erster Ordnung in der Temperaturdifferenz. Die Probe befindet sich bei Temperatur 0K und die Spitze bei leicht höherer Temperatur. Die Elektronenstreuung in der Probe wird im Rahmen der Layer-KKR Methode beschrieben und die Tunnelspitze ist durch ein auf einer Jelliumelektrode adsorbiertes Atom dargestellt. Die lateralen Variationen der Thermospannung werden mit den RTM-Abbildungen bei verschiedenen Spitze-Probe Abständen verglichen.

[1] J.A. Støvneng and P. Lipavský, Phys. Rev. B 42, 9214 (1990).