Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 32: Isolatoroberflächen

Donnerstag, 20. März 1997, 11:15–13:00, PC 4

	11:15	O 32.1	UHV Rasterkraftmikroskopie an CaF2 — •R. Bennewitz, M. Reichling und E. Matthias
	11:30	O 32.2	Photoemission und Photoleitfähigkeit für CaF2 — •M. Huisinga, M. Reichling und E. Matthias
	11:45	O 32.3	AFM-Untersuchungen an amorphen kohlenstoffhaltigen Bariumsilikaten — •W. Raberg und K. Wandelt
	12:00	O 32.4	XPD an BCTO: Einbauplatzbestimmung des Ca — •B. Schneider, R. Niemann und M. Neumann
	12:15	O 32.5	Das Mischsystem Kr / Xe auf NaCl(100) — •K. Budde, M. Eichmann, W. Ernst und H. Pfnür
	12:30	O 32.6	Defekt-induziertes Zerstäuben von Isolatoren (LiF, SiO2) mit hyperthermischen, hochgeladenen Ionen: Arq+ (q≤ 14), Xeq+ (q≤ 27) → LiF und SiO2 — •G. Libiseller, M. Sporn, M. Schmid, F. Aumayr, HP. Winter, P. Varga, M. Grether und N. Stolterfoht
	12:45	O 32.7	NICASS - Eine neue Methode zur Oberflächenstrukturbestimmung von Isolatoren — •Andreas Losch und Horst Niehus