Münster 1997 –
wissenschaftliches Programm
O 33: Reine und H-terminierte Halbleiter
Donnerstag, 20. März 1997, 16:00–18:45, S 10
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16:00 |
O 33.1 |
Mehrphotonen Photoelektronenspektroskopie an ZnTe(110) und GaP(110) Halbleiteroberflächen — •M. Reichling, M. Leblans, R.K.R. Thoma, J.L. LoPresti und R.T. Williams
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16:15 |
O 33.2 |
Rekonstruktion und Morphologie der sublimierenden CdTe(001) Oberfläche — •H. Neureiter, S. Tatarenko, M. Schneider, M. Sokolowski, and E. Umbach
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16:30 |
O 33.3 |
Untersuchung der elektronischen Struktur der CdSe-Spaltoberflächen mit dem Rastertunnelmikroskop — •B. Siemens, C. Domke, Ph. Ebert und K. Urban
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16:45 |
O 33.4 |
UHV-RTM-Mikroskopie und -Spektroskopie auf p-InAs(110) — •W. Kresse, M. Bode und R. Wiesendanger
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17:00 |
O 33.5 |
Spr"odes Brechen beim Spalten von GsAs: Dynamische Instabilit"at auf nm Skala — •M.A. Rosentreter, N.H. Theuerkauf, M. Wenderoth, and R.G. Ulbrich
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17:15 |
O 33.6 |
Winkelaufgelöste Photoemission an c(2x2) rekonstruierten β -SiC(100) Oberflächen — •F. S. Tautz, S. Sloboshanin, S. Hohenecker, D. R. T. Zahn und J. A. Schaefer
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17:30 |
O 33.7 |
R"ontgenstrukturanalyse der Ge(113)-(1x3) Oberfl"ache — •H. Vogler, A. Iglesias, W. Moritz, and H. Over
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17:45 |
O 33.8 |
Spektroskopie von Rumpfelektronen–Niveaus an GaAs(113)–Oberflächen — •C. Setzer, J. Platen und K. Jacobi
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18:00 |
O 33.9 |
Dynamische Eigenschaften von 3C- und 6H–SiC–Oberflächen — •H. Nienhaus, V. van Elsbergen und W. Mönch
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18:15 |
O 33.10 |
Untersuchung der Wasserstoffadsorption an 3C-SiC(100)-Oberflächen — •T. Balster, H. Ibach und J.A. Schaefer
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18:30 |
O 33.11 |
Wasserstoff induziert Domänenwände auf Si(113) — •F.-J. Meyer zu Heringdorf, H. Goldbach, V. Dorna, U. Köhler und H.-L. Günter
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