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O: Oberflächenphysik

O 33: Reine und H-terminierte Halbleiter

O 33.10: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 18:15–18:30, S 10

Untersuchung der Wasserstoffadsorption an 3C-SiC(100)-Oberflächen — •T. Balster¹, H. Ibach² und J.A. Schaefer¹ — ¹Institut für Physik, TU Ilmenau, 98684 Ilmenau — ²Forschungszentrum Jülich, IGV, D-52425 Jülich

Wir haben mittels hochauflösender Elektronenenergieverlustspektroskopie (HREELS), Augerelektronenspektroskopie (AES) und Beugung langsamer Elektronen (LEED) das Adsorptionsverhalten von Wasserstoff auf 3C-SiC(100)-Oberflächen (D_n=4×10¹⁶cm⁻³) untersucht. Die Präparation der Proben erfolgte durch Aufdampfen von Si bei einer Probentemperatur von 1200 K und nachfolgendem Heizen bis zu 1475 K. Auf der reinen Oberfläche konnten wir das bekannte Fuchs-Kliewer-phonon[1] bei 945 cm⁻¹ (118 meV) und die mit abnehmendem Si-C-Verhältnis abnehmende Halbwertsbreite des Peaks der elastisch reflektierten Elektronen beobachten. An der (2×1) und der c(2×2) rekonstruierten Oberfläche wurde Wasserstoff angeboten. Nach 40 L wandelte sich die (2×1) in eine (1×1)-Struktur um, und wir konnten erstmalig die H-Si-H-Streckschwingung bei 2120 cm⁻¹ (263 meV) beobachten.