Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 33: Reine und H-terminierte Halbleiter

O 33.11: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 18:30–18:45, S 10

Wasserstoff induziert Domänenwände auf Si(113) — •F.-J. Meyer zu Heringdorf¹, H. Goldbach¹, V. Dorna², U. Köhler² und H.-L. Günter¹ — ¹Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, D-30167 Hannover — ²Institut für Experimentalphysik, Universität Kiel, Olshausenstr. 40 , D-24098 Kiel

Mit SPA-LEED und STM wurden im Temperaturbereich von 400^∘C bis 600^∘C und bei Partialdrücken von 5×10⁻⁷ mbar bis 2×10⁻⁵ mbar CVD- Wachstumsmessungen mit Disilan durchgeführt. Zusätzlich zu den bereits bekannten Rekonstruktionen der reinen Si(113) Fläche wurde in Abhängigkeit von der Gleichgewichts-Wasserstoffbedeckung eine Vielzahl von neuen Strukturen beobachtet (2×7, 2×5, …, 2×13), deren Auftreten im Rahmen von Domänenwandmodellen erklärt werden können. Die sehr regelmässigen Strukturen lassen sich in einem Arrhenius-Phasendiagramm klassifizieren.

Im Bereich der (2×2) Rekonstruktion konnte anhand von Oszillationen in der Peakintensität des Spiegelreflexes bei Gegenphasebedingung ein Lage-für-Lage Wachstum beobachtet werden. Aus der Temperaturabhängigkeit der Oszillationsfrequenz wurde die Aktivierungsenergie für den geschwindigkeitsbestimmenden Schritt zu 2.1 bestimmt.