Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 33: Reine und H-terminierte Halbleiter

O 33.2: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 16:15–16:30, S 10

Rekonstruktion und Morphologie der sublimierenden CdTe(001) Oberfläche — •H. Neureiter¹, S. Tatarenko², M. Schneider¹, M. Sokolowski¹, and E. Umbach¹ — ¹Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg — ²CNRS-Université Joseph Fourier, B. P. 87, 38402 Saint Martin d’Hères, France

Die Sublimation von CdTe(001) bietet die Möglichkeit zur Untersuchung der Bindungsverhältnisse auf dieser wichtigen MBE–Wachstumsfläche. Die mikroskopischen Elementarschritte des Sublimationsprozesses und die Rolle der während der Sublimation beobachteten (2x1) Rekonstruktion sind allerdings noch nicht geklärt. Wir stellen hier Messungen mit hochaufgelöster Elektronenbeugung (SPALEED) an diesem System vor. Aus der Analyse der Intensität und Profilform des spekularen Beugungsreflexes und der Überstrukturreflexe läßt sich die zeitliche Entwicklung von Morphologie und Rekonstruktion während des Sublimationsprozesses direkt bestimmen. Energieabhängige Messungen ermöglichen die Bestimmung der gebildeten Defekte (CdTe-Doppelstufen). Interessanterweise unterscheiden sich die Domänen der gebildeten (2x1) Überstruktur (anisotrop, ≈20Å×400Å) und die sich beim Sublimationsprozeß bildenden Inseln (isotrop, ≈ 500 Å) sta! rk in ihrer Form, Größe und zei tlichen Entwicklung. Durch Vergleich mit Computersimulationen [1] können die gemessenen Daten mit mikroskopischen Parametern (Bindungsenergie, Diffusionsbarriere) verknüpft werden. (Gefördert durch DFG, SFB 410)

[1] S. Schintzer und W. Kinzel, DPG Frühjahrstagung 1997