Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 33: Reine und H-terminierte Halbleiter

O 33.3: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 16:30–16:45, S 10

Untersuchung der elektronischen Struktur der CdSe-Spaltoberflächen mit dem Rastertunnelmikroskop — •B. Siemens, C. Domke, Ph. Ebert und K. Urban — Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich

Es wurden Spaltoberflächen eines II-VI-Verbindungshalbleiters mit dem Rastertunnelmikroskop (RTM) atomar aufgelöst untersucht. Das untersuchte Material CdSe lag in der Wurtzitstruktur vor. Die besten Spaltflächen sind die nicht-polaren (1120)- und die (1010)-Ebenen. Die RTM-Messungen zeigen in Übereinstimmung mit LEED und theoretischen Rechnungen eine (1 × 1)-Rekonstruktion beider Oberflächen. Auf beiden Oberflächen hat ein Ladungstransfer von den Kationen zu den Anionen stattgefunden. Deshalb sind die besetzten Oberflächenzustände an den Se-Atomen und die unbesetzten an den Cd-Atomen lokalisiert. Diese Struktur spiegelt sich in den RTM-Bildern der besetzten und unbesetzten Zustände wieder. Die Messungen zeigen, daß auch für die nicht-polaren Spaltoberflächen der II-VI-Verbindungshalbleiter eine chemische Sensistivität in den RTM-Bildern existiert, in Analogie zu (110)-Spaltoberflächen von Verbindungshalbleitern, die in der ZnS-Struktur vorliegen.