Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 33: Reine und H-terminierte Halbleiter

O 33.4: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 16:45–17:00, S 10

UHV-RTM-Mikroskopie und -Spektroskopie auf p-InAs(110) — •W. Kresse, M. Bode und R. Wiesendanger — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, D-20355 Hamburg

Vorgestellt werden atomar aufgelöste Messungen mit einem UHV-Rastertunnelmikroskop auf (110)-Spaltflächen des p-dotierten III-V-Ver-bindungshalbleiters InAs.

Die durch den Ladungstransfer zwischen In und As an der Oberfläche stattfindende Trennung besetzter und unbesetzer Oberflächenzustände erlaubt das atomselektive Abbilden des Arsen- bzw. Indium-Untergitters bei wechselnder Polarität der angelegten Bias-Spannung.

Spannungsabhängige Aufnahmen zeigen die laterale Ausdehnung der durch Punktdefekte induzierten lokalen Bandverbiegung und erlauben Rückschlüsse auf deren Ladung.

Weiter zeigen ortsauflösende dI/dU-Aufnahmen die spektroskopischen Merkmale verschiedenartiger Defektstrukturen auf diesen Oberflächen.