Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 33: Reine und H-terminierte Halbleiter

O 33.5: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 17:00–17:15, S 10

Spr"odes Brechen beim Spalten von GsAs: Dynamische Instabilit"at auf nm Skala — •M.A. Rosentreter, N.H. Theuerkauf, M. Wenderoth, and R.G. Ulbrich — IV. Physikalisches Institut, Universit"at G"ottingen, Bunsenstra"se 13, 37073 G"ottingen

Stufenkonfigurationen auf frisch gespaltenen GaAs (110) Oberfl"achen wurden auf atomarer Skala mit einem Rastertunnelmikroskop im UHV bei 300 K untersucht. Die Verteilung der Terrassenweiten wurde bestimmt und mit Vorhersagen aus Modellen des thermischen Gleichgewichts und des spr"oden Brechens verglichen. Die Analyse auf der Basis von Monte Carlo Simulationen legt nahe, da"s die Erzeugung der Oberfl"ache durch den Spaltvorgang weit weg vom thermischen Gleichgewicht stattfindet und die entstehenden Strukturen nicht in einen Gleichgewichtszustand relaxieren. In Topographien von 1 µ m² finden wir zwei charakteristische L"angenskalen. Mittlere Terrassenbreiten von 10 nm und Fluktuationen auf langen Skalen von 100 nm weisen auf eine nichtlineare, dynamische Instabilit"at bei der Propagation der Spaltfront hin.
Diese Arbeit wird von der DFG im Rahmen des SFB 345 gef"ordert.