Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 33: Reine und H-terminierte Halbleiter
O 33.7: Vortrag
Donnerstag, 20. März 1997, 17:30–17:45, S 10
R"ontgenstrukturanalyse der Ge(113)-(1x3) Oberfl"ache — •H. Vogler1, A. Iglesias1, W. Moritz1, and H. Over2 — 1Institut für Kristallographie und Angew. Mineralogie d. Univ. M"unchen, Theresienstr. 41, 80333 M"unchen — 2Fritz-Haber-Inst. der MPG, Berlin
Die Struktur der (1x3) Phase der Ge(113) Oberfl"ache wurde mit R"ontgenbeugung bestimmt. Ein ausf"uhrlicher Datensatz von 451 symmetrisch unabh"angigen ’in-plane’ und ’out-ofplane’ Reflexen bis zu hohen Ausfallswinkeln erm"oglichte die dreidimensionale Strukturanalyse. Die Experimente wurden am Me"splatz W1 im HASYLAB durchgef"uhrt. Die Ergebnisse zeigen, da"s die Struktur wie von Dabrowski et al. [1] aus STM Messungen f"ur Si(113) vorgeschlagen durch Zwischengitteratome unterhalb des Dimers stabilisiert wird. Die Atomlagen um das Zwischengitteratom sind stark relaxiert, wobei Ge-Ge Bindungsl"angen von 2.30 bis 2.85 Å auftreten. In der 3x1 Phase sind 50 % der Pl"atze statistisch mit Zwischengitteratomen besetzt. Das Ergebnis f"ur die 3x1 Phase bei Raumtemperatur l"a"st vemuten, da"s in der 3x2 Phase, die unterhalb Raumtemperatur auftritt, eine geordnete Besetzung der Zwischengitterpl"atze vorliegt.
[1] J. Dabrowski,H.-J. M"ussig, G. Wolff, Phys. Rev. Lett. 73, 1660 (1994)