Münster 1997 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 33: Reine und H-terminierte Halbleiter
O 33.9: Talk
Thursday, March 20, 1997, 18:00–18:15, S 10
Dynamische Eigenschaften von 3C- und 6H–SiC–Oberflächen — •H. Nienhaus, V. van Elsbergen und W. Mönch — Laboratorium für Festkörperphysik, Gerhard-Mercator-Universität Duisburg, Lotharstrasse 1-21, D-47048 Duisburg
Reine 3C–SiC(001)– und 6H–SiC(0001)–Oberflächen wurden mit der hochauflösenden Elektronenenergie–Verlustspektroskopie (HREELS) in Dipolstreugeometrie untersucht. Die Proben wurden im Si-Atomstrahl geheizt. Durch Anlassen im Ultrahochvakuum konnten verschiedene Oberflächenrekonstruktionen eingestellt werden. Die stärksten Verluststrukturen in den Schwingungsspektren erklären sich mit der Anregung von Fuchs–Kliewer–Phononen. Deren Energien an 3C-3×2-, 3C-2×1- und 6H-√3×√3R30∘-Oberflächen wurden zwischen 940 und 945 cm−1 gemessen. Dagegen fanden wir an 3C-3×2 und 6H-3×3 rekonstruierten Flächen mit hohem Si–Anteil kleinere Werte und an graphitierten 3C-1×1- bzw. 6H-6√3×6√3R30∘-Oberflächen größere Phononenenergien. Energieverluste durch Anregung mikroskopischer Oberflächenphononen wurden nur an sehr gut präparierten 3C-3×2-Proben bei 375 und 710 cm−1 beobachtet. Dagegen führt eine Graphitierung der Oberflächen zu einer asymmetrischen Verbreiterung der Fuchs-Kliewer-Phononenverluste.