Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 38: Metalle auf Halbleitern II

O 38.2: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 11:30–11:45, S 1

Bestimmung des Desorptionsmechanismus durch PSID und
XSW von Si(111)-(7×7) und CsCl/Si(111)-(7×7) — •A. Hille, J. Falta, C. Sánchez-Hanke, Th. Schmidt, and G. Materlik — HASYLAB @ DESY, Notkestraße 85, 22607 Hamburg

Mittels Flugzeitspektroskopie (TOF) in Kombination mit stehenden Röntgenwellenfelder (XSW) wurde die photonenstimulierte Desorption positiver Ionen (PSID) von Si(111)-(7×7) und CsCl/Si(111)-(7×7) untersucht. Da desorbierende Ionen im Gegensatz zu Fluoreszenz- oder Elektronensignalen nur aus der obersten Atomlage stammen, können damit Strukturinformationen über die oberste Atomschicht gewonnen werden.

Von der reinen Si(111)-(7×7)-Oberfläche konnte die Desorption von einfach positiv geladenen Si-Ionen nachgewiesen und deren Wellenfeldabhängigkeit bei Röntgenenergien zwischen 3keV und 5keV bestimmt werden. Die daraus resultierende Positionsantwort ist konsistent mit einem Desorptionsmechanismus, der durch die Anregung der Bindungselektronen der Adatome hervorgerufen wird.

Für den Fall der Adsorption von CsCl/Si(111)-(7×7) bei einer Bedeckung von 0.2 ML konnte ein Desorptionsmechanismus nach Anregung des Cl-K1s-Niveaus nachgewiesen werden. Die XSW-Messungen liefern eine Position, die konsistent mit einer kovalenten Bindungsposition der Cl-Atome über den Adatomen des Si-Substrates ist.