Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 38: Metalle auf Halbleitern II

O 38.4: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 12:00–12:15, S 1

Ver"anderungen der Morphologie der Ge(001)(2× 1) Oberfl"ache nach Sb-Adsorption — •G. Falkenberg, L. Seehofer, R. Kosuch, and R.L. Johnson — II. Institut f"ur Experimentalphysik, Universit"at Hamburg, Luruper Chaussee 149, D-22761 Hamburg

Die Struktur und Morphologie der Sb bedeckten Ge(001) wurde mit LEED und erstmals mit Rastertunnelmikroskopie f"ur verschiedene Sb Bedeckungen und Temperaturen untersucht. Dabei zeigte sich weitgehende "Ahnlichkeit in der Struktur mit der eng verwandten Si(001)(2× 1)-As Oberfl"ache, aber gro"se Unterschiede bez"uglich der Morphologie. Nach Deposition von Sb im Submonolagenbereich bei Raumtemperatur (RT) und Nachtempern bei 350^∘C ist die Ge(001)-Oberfl"ache "uber vier Lagen rauh. Auf den schmalen (001)-Terrassen befinden sich die symmetrischen Sb-Dimere und Ge-Dimere innerhalb der gleichen Lage, d. h. es findet eine 2-dim. Durchmischung der Grenzschicht statt. Nach Deposition bis zur S"attigungsbedeckung (1 ML) bei RT und Nachtempern bei 300^∘C bleibt die 2× 1 rekonstruierte Ge(001)-Oberfl"ache eben und weist eine hohe Dichte von Antiphasendom"anenw"anden auf. Durch Tempern zwischen 480^∘C – 510^∘C ver"andert sich die Morphologie der Oberfl"ache drastisch, ohne da"s Sb desorbiert wird. Es bilden sich 2-dim. Inseln und Fehlstelle mit charakteristischer Form und Orientierung aus. Diese Umordnug auf der Oberfl"ache wird auf den Abbau von Verspannungen durch die Ausbildung von Stress-Dom"anen zur"uckgef"uhrt.