Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 38: Metalle auf Halbleitern II

O 38.5: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 12:15–12:30, S 1

Wechselwirkung von Ag mit Si(111)7× 7 bei Variabler Temperatur — In–Situ–Adsorption im STM — •A. Feltz, H. Wengelnik und T. Berghaus — OMICRON Vakuumphysik GmbH, Idsteiner Str. 78, D-65232 Taunusstein (Neuhof)

Die Wechselwirkung von Ag und Si wurde im Temperaturbereich
50 K bis 950 K während der in–situ–Adsorption/Desorption von Ag im VT STM untersucht. Im Gegensatz zu ex–situ–Messungen erlaubt die genaue Kontrolle von Probentemperatur und Adsorptionsrate eine detaillierte Untersuchung der Wechselwirkungsdynamik. Das Verhalten bei Temperaturerhöhung ist durch drei Phasen geprägt: Stranski–Krastanov (SK) Wachstum von RT bis 550 K, thermisch aktivierte Bildung von Si(111)/Ag(√3×√3)R30^∘ bis 900 K, und die von der Rückbildung der Si(111)7× 7 begleitete Ag–Desorption oberhalb von 900 K. Die Si(111)/Ag(√3×√3)R30^∘ bleibt zwischen 550 K und 900 K unabhängig von der hier verwendeten Ag–Dosis stabil. SK–Wachstum setzt erst wieder deutlich unterhalb von RT ein. Bei 200 K wurden große Cluster beobachtet, während bei tieferen Temperaturen die gebildeten Cluster zunehmend kleiner waren; selbst bei 50 K wurde noch eine signifikante Beweglichkeit beobachtet. Im Arrhenius–Plot zeigt sich in den Daten eine deutlich erhöhte Beweglichkeit von Ag auf Si(111)/Ag(√3×√3)R30^∘ gegenüber Si(111)7× 7.