Münster 1997 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 38: Metalle auf Halbleitern II
O 38.5: Talk
Friday, March 21, 1997, 12:15–12:30, S 1
Wechselwirkung von Ag mit Si(111)7× 7 bei Variabler Temperatur — In–Situ–Adsorption im STM — •A. Feltz, H. Wengelnik und T. Berghaus — OMICRON Vakuumphysik GmbH, Idsteiner Str. 78, D-65232 Taunusstein (Neuhof)
Die Wechselwirkung von Ag und Si wurde im Temperaturbereich
50 K bis 950 K
während der in–situ–Adsorption/Desorption von Ag im VT STM untersucht.
Im Gegensatz zu ex–situ–Messungen erlaubt die genaue Kontrolle von
Probentemperatur und Adsorptionsrate eine detaillierte Untersuchung der
Wechselwirkungsdynamik. Das Verhalten bei Temperaturerhöhung ist durch drei
Phasen geprägt: Stranski–Krastanov (SK) Wachstum von RT bis 550 K, thermisch
aktivierte Bildung von Si(111)/Ag(√3×√3)R30∘
bis 900 K, und die von der Rückbildung der Si(111)7× 7 begleitete
Ag–Desorption oberhalb von 900 K. Die Si(111)/Ag(√3×√3)R30∘
bleibt zwischen 550 K und 900 K unabhängig von der hier verwendeten
Ag–Dosis stabil. SK–Wachstum setzt erst wieder deutlich unterhalb von RT ein.
Bei 200 K wurden große Cluster beobachtet, während bei tieferen Temperaturen
die gebildeten Cluster zunehmend kleiner waren; selbst bei 50 K wurde noch eine
signifikante Beweglichkeit beobachtet. Im Arrhenius–Plot zeigt sich in den
Daten eine deutlich erhöhte Beweglichkeit von Ag auf
Si(111)/Ag(√3×√3)R30∘ gegenüber Si(111)7× 7.