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O: Oberflächenphysik

O 38: Metalle auf Halbleitern II

O 38.6: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 12:30–12:45, S 1

Untersuchung der Selbstorganisation Ag induzierter Vielfachstufen auf fehlgeneigtem Si(001) — •P. Zahl, A. Meier und M. Horn-von Hoegen — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, D-30167 Hannover

Adsorption von Ag bei 400-800^∘C auf 4^∘ fehlgeneigten Si(001)-Flächen führt mittels step-bunching zur Ausbildung von Vielfachdoppelstufen. Die so erzeugten sehr geraden Terrassen haben eine entsprechend große Breite von bis zu 300Å und sind bis zu 4000Å lang. Der Umordnungsprozeß durch Si Massentransport ist kinetisch limitiert und erlaubt die Einstellung einer beliebigen mittleren Stufenhöhe der step-bunches über die Wahl der Adsorptionstemperatur. Auf diese Weise konnten 4- bis 16-fach Stufenhöhen erzeugt und mit dem STM beobachtet werden. Die Stepbunches bilden bevorzugt [117]-Facetten aus. Modelle und Energetik der Vielfachstufenbildung werden diskutiert. Diese Strukturen dienen als Ausgangsfläche für das selektive Wachstum von Metallquantendrähten.