Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 39: Adsorption auf Oxiden

O 39.6: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 12:30–12:45, S 2

Wachstum von Rhodium auf dünnen Aluminiumoxidfilmen — •S. Stempel, M. Bäumer, M. Frank, J. Libuda und H.-J. Freund — Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, 14195 Berlin

Wachstumsverhalten und Reaktivität von Rhodiumdeponaten auf einem wohlgeordneten γ-Al₂O₃-artigen Film auf NiAl(110) wurden mit AFM/STM und TDS untersucht. Bei Raumtemperaturdeponierung wird die Nukleation klar durch die Defektstruktur des Oxides beeinflusst, und die Metallaggregate wachsen fast ausschließlich an den Antiphasendomänengrenzen und Stufen des Oxidfilmes auf. Ab einer Schichtdicke oberhalb einer Monolage Rhodium lassen sich neben den ungeordneten Aggregaten vereinzelt geordnete Inseln finden. Die 90 K-Deponierung ergibt dagegen eine nahezu statistische Verteilung der Rhodiuminseln auf der Oberfläche. CO-Adsorption bei 300 K führt zu einer Umstrukturierung der Metallaggregate. Durch Modifikation des Al₂O₃-Films von einer Sauerstoff- zu einer Hydroxylgruppenterminierung erreicht man eine Veränderung des Aufwachsverhaltens sowie der Reaktivität der Metallaggregate mit CO.