Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 4: Raster-Kraft-Mikroskopie I

O 4.1: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 09:30–09:45, BOT

Untersuchung von Ladungsverteilungen in photorefraktiven Kristallen mit dem Rasterkraftmikroskop — •E. Soergel¹, W. Krieger¹, V. Vlad² und H. Walther¹ — ¹Max-Planck-Institut für Quantenoptik, Hans-Kopfermann Strasse 1, D-85748 Garching — ²Institute for Atomic Physics, R-79600 Bukarest, Rumänien

Photorefraktive Materialien sind wegen ihrer Verwendung als holographische Datenspeicher von grossem Interesse. Zu ihrer Charakterisierung und Optimierung werden bisher optische Methoden verwendet, bei denen über grosse Volumenanteile gemittelt wird. Das Rasterkraftmikroskop ermöglicht es erstmals, den photorefraktiven Effekt auf mikroskopischer Basis zu studieren. Dabei wird gleichzeitig die Topographie und – durch Messung elektrostatischer Kräfte – die Ladungsverteilung an der Oberfläche abgetastet.

Photorefraktive Bi₁₂SiO₂₀-Kristalle werden mit zwei gekreuzten Laserstrahlen bei 514nm belichtet. Die Form und die zeitliche Änderung der entstandenen Ladungsgitter werden mit einem Rasterkraftmikroskop untersucht. Dabei gibt die Änderung der Gitterform Aufschlüsse über Sättigungsprozesse. Zerfallskurven zeigen, dass verschiedene Arten von Störstellen im Kristall zur Ladungsverteilung beitragen.