Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 41: Nanostrukturen

O 41.4: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 12:00–12:15, PC 4

Elektrische Eigenschaften mit Rastertunnellithographie hergestellter metallischer Leiterbahnen — •J. Kretz, I. Mönch, H. Vinzelberg, H. Brückl und G. Reiss — Institut für Festkörper- und Werkstofforschung, Helmholtzstraße 20, D–01069 Dresden

Das Rastertunnelmikroskop kann als Werkzeug zur Elektronenstrahllithographie verwendet werden. Durch die Belichtung mit Elektronen mit Energien im Bereich weniger eV wird der Proximityeffekt, die Verbreiterung belichteter Strukturen durch im Lack und Substrat gestreute Elektronen, weitgehend vermieden. Als Resist kommen dabei dünne Langmuir-Blodgett Filme aus ω-Tricosensäure zum Einsatz. Durch Ätzen mit einem Argon-Ionenstrahl werden die Strukturen in dünne Metallfilme (Schichtdicke bis 30 nm) übertragen. Auf diese Weise können metallische Leiterbahnen mit Breiten unter 100 nm und mehreren Mikrometern Länge hergestellt werden.

Vorgestellt werden Untersuchungen der Temperaturabhängigkeit des Widerstandes von Leiterbahnen unter 50 nm Breite und 1 bis 3 µm Länge aus Pt, Au und AuPd-Legierungen bei Temperaturen von 4 K bis Raumtemperatur unter Berücksichtigung der Breitenhomogenität.