Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 41: Nanostrukturen

O 41.7: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 12:45–13:00, PC 4

Morphologie und optische Eigenschaften von Si-Nanostrukturen auf CaF₂ — •A. Iline, M. Andersson, F. Stietz und F. Träger — Fachbereich Physik, Universität Kassel, Heinrich-Plett-Str. 40, D-34132 Kassel

In dem hier vorgestellten Experiment wird das Wachstum von Silizium auf CaF₂(111)-Substraten mit dem Ziel untersucht, die Parameter für eine gezielte Herstellung von Nanostrukturen zu finden. Atomfluß, Bedampfungszeit und Substrattemperatur wurden variiert, und Größe sowie Form der entstandenen Strukturen mit einem Rasterkraftmikroskop abgebildet. Desweiteren wurden die optischen Eigenschaften der Si-Strukturen mit Hilfe von Extinktions- und Photolumineszenzuntersuchungen charakterisiert. Die Ergebnisse zeigen, daß insbesondere die Substrattemperatur einen großen Einfluß auf Form und Größe der sich bildenden Si-Strukturen hat. Je nach Temperatur bilden sich geschlossene Filme oder Si-Inseln unterschiedlicher Größe. Auch in den Extinktionsspektren, die mit Rechnungen beruhend auf der Mie-Theorie verglichen wurden, spiegeln sich die unterschiedliche Form und Größe der Si-Strukturen wider.