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O: Oberflächenphysik

O 5: Adsorption auf Halbleiter-Oberflächen

Montag, 17. März 1997, 09:30–11:15, PC 4

	09:30	O 5.1	Die Adsorption von Alkoholen auf H2O gesättigten Si(100)-2x1 Oberflächen: Eine HREELS Untersuchung — •Th. Bitzer, N.V Richardson und D.J. Schiffrin810320
	09:45	O 5.2	Kinetik der dissoziativen Adsorption von Wasser auf Si(001), Si(113), Si(5 5 12) und Si(112) — •W. Ranke und Y.R. Xing
	10:00	O 5.3	Elektronische und vibronische Struktur von Benzol adsorbiert auf Si(001) — •U. Birkenheuer, U. Gutdeutsch, P. Trischberger, S. Gokhale, W. Widdra, D. Menzel, H.-P. Steinrück, H. Dröge und N. Rösch
	10:15	O 5.4	Adsorption von Fluor auf der (100) Diamantoberfläche — •S. Hadenfeldt und C. Benndorf
	10:30	O 5.5	Strukturbestimmung von Si(111)(√3× √3)R30∘ - Bor mit Photoelektronenbeugung — •P. Baumgärtel, J.J. Paggel, M. Hasselblatt, K. Horn, E. Rotenberg, J. Denlinger, V. Fernandez, O. Schaff und A. M. Bradshaw
	10:45	O 5.6	Einfluß von Stufen und Defekten auf die dissoziative Adsorption von molekularem Wasserstoff auf Si(100) — •M. Raschke and U. Höfer
	11:00	O 5.7	Elektronische Struktur von Ethylen adsorbiert auf Si(100)-(2×1) — •A. Fink, S. Gokhale, U. Birkenheuer, U. Gutdeutsch, H. Koschel, D. Menzel, N. Rösch, P. Trischberger und W. Widdra