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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.10: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Atomare und elektronische Struktur der silizium-terminierten SiC(100)-2×1 Oberfläche — •H. Hüsken¹, B. Schröter¹, M. Riehl-Chudoba¹, W. Richter¹, P. Käckell², J. Furthmüller², and F. Bechstedt² — ¹Institut für Festkörperphysik, Friedrich-Schiller-Universität Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena — ²Institut für Festkörpertheorie und Theoretische Optik, Friedrich-Schiller-Universität Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena

Die Kombination von Photoemissionsspektroskopie und parameterfreien Gesamtenergieberechnungen wurde zur Aufklärung der Struktur von Siliziumkarbid–Oberflächen eingesetzt. Kubische SiC(100)–Schichten (CVD, LETI Grenoble) wurden durch Heizen im Si-Strom mit einer 2×1–Überstruktur präpariert und mit winkelaufgelöster UPS untersucht. Ein nahezu dispersionsloser Oberflächenzustand (0.7eV oberhalb des Valenzbandmaximums) und fehlende Zustände an der Fermienergie weisen eine halbleitende Oberfläche aus.
Ab initio Berechnungen im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie ergeben im Gegensatz zu früheren experimentellen Untersuchungen und anders als bei Si(100)-2×1 nur eine schwache Dimerisierung mit relativ großen Si–Si–Bindungslängen von 2.75Å. Ein Vergleich der von uns experimentell und theoretisch gefundenen Oberflächenzustände und -resonanzen ergibt gute Übereinstimmung und bestätigt dieses Modell der atomaren Konfiguration.
(Gefördert durch die DFG im Sonderforschungsbereich 196)