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O: Oberflächenphysik
O 6: POSTER I
O 6.25: Poster
Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA
Wechselwirkung von Ethen und Xenon mit der Rh(111) Fl"ache bei tiefen Temperaturen — •M. Dr"ager, T. Wiersberg, J. Kandler, and K. Wandelt — Institut f"ur Phys. und Theor. Chemie, Universit"at Bonn, Wegelerstr. 12, 53115 Bonn
Die Wechselwirkung von Ethen und Ethylidin mit der Rhodium(111)-Oberfl"ache
wurde mit Hilfe von UPS, Xe-TDS und PAX (Photoemission von Adsorbiertem Xenon)
in Abh"angigkeit von der Ethendosis untersucht. Ethen wurde bei 60K
adsorbiert und die Monolagenkalibration "uber charakteristische
Peakverschiebungen im UPS-HeI Spektrum vorgenommen. Die Position von PAX-Signalen
der Xe-Sondenatome verschiebt mit zunehmender Ethen-Bedeckung zu h"oheren Energien,
jedoch um einen wesentlich geringerem Betrag als die photoelektrisch ermittelte
Austrittsarbeitserniedrigung erwarten lie"se. Ein solches Verhalten
kann geometrisch
erkl"art werden.
Xe-TDS von der sauberen Fl"ache zeigt eine Abnahme der Desorptionstemperatur
aus der ersten Lage mit steigender Xenon-Bedeckung. Mit Population der
zweiten Lage Xenon steigt die Desorptionstemperatur der ersten Lage jedoch
"uber einen engen Dosisbereich schnell wieder an.
Mit steigender Ethen-Bedeckung wird Xenon in der ersten Lage durch
laterale Wechselwirkung mit Ethenmolek"ulen zunehmend schw"acher
an Rhodium gebunden.
Unterhalb von 1 ML Ethen bilden sich mit steigender Xenon-Dosis zun"achst
Xenon-Cluster; erst oberhalb von 0.6 ML Ethen adsorbiert Xenon auf Ethen.