Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.38: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Oberflächendynamik adsorbatinduzierter Si(111)(√3×√3)-Systeme — •R. Honke, P. Pavone und U. Schröder — Institut für Theoretische Physik, Universität Regensburg, D-93040 Regensburg

Struktur und dynamische Eigenschaften der Systeme Si(111)(√3×√3)Ga und Si(111)(√3×√3)B wurden mittels ab initio-Methoden untersucht. Die relaxierten Strukturen wurden in einer LDA-Gesamtenergierechnung und die phononische Dispersion oberflächenlokalisierter Schwingungen im Rahmen einer Dichtefunktional-Störungstheorie ermittelt. Die oberflächenlokalisierten Moden werden mit experimentellen Elekronenenergieverlustspektren (HREELS)[1] und Ergebnissen aus inelastischer Streuung von He-Atomen [2] verglichen. Für die Ga-bedeckte Oberfläche wurden die mittleren Auslenkungsquadrate der Oberflächenatome berechnet. Sie werden im Zusammenhang mit dem experimentellen XSW-Ergebnis [3] der riesenhaften Ga-Amplituden bei höheren Temperaturen besprochen. Ferner werden die in Massennäherung bestimmten Oberflächenphononen der mit Arsen und Indium bedeckten Si(111)(√3×√3)-Oberflächen diskutiert.

[1] J. Schmidt, H. Ibach und J.E. Müller, Phys. Rev. B 51, 5233 (1995).

[2] R.B. Doak, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 1252 (1989).

[3] R.E. Martinez, E. Fontes, J.A. Golovchenko und J.R. Patel, Phys. Rev. Lett. 69, 1061 (1992).