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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.39: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Oberflächenphononen von As:Si(111)-(1×1) und As:Si(001)-(2×1) — •V. Gräschus, M. Rohlfing, P. Krüger, A. Mazur und J. Pollmann — Institut für Theoretische Physik II–Festkörperphysik, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, D-48149 Münster

Die theoretische Untersuchung der Schwingungseigenschaften adsorbatbedeckter Halbleiteroberflächen ist von großem Interesse für die Interpretation von experimentellen Ergebnissen der Heliumstreuung und der Elektronen-Energieverlust-Spektroskopie. Wir stellen in diesem Beitrag Oberflächenphononenspektren für die Prototypsysteme As:Si(111)-(1×1) und As:Si(001)-(2×1) vor. Diese zeichnen sich gegenüber den reinen Si Oberflächen durch vollständige Besetzung aller Dangling-Bond Zustände aus. Unsere Rechnungen basieren auf einem semi-empirischen Energieansatz, in dem sich die Gesamtenergie aus dem attraktiven Bandstrukturanteil und einem empirischen, repulsiven Anteil zusammensetzt. Die elektronischen Systemeigenschaften werden im Rahmen der empirischen Tight-Binding Methode beschrieben. Alle benötigten Parameter, sowohl die des elektronischen als auch die des repulsiven Anteils, werden aus ab-initio Studien der entsprechenden Adsorbatsysteme gewonnen. Der Vergleich unserer berechneten Phononendispersionen mit den experimentellen Daten zeigt eine sehr gute Übereinstimmung. Darüber hinaus vergleichen wir unsere Resultate für obige Systeme auch mit unseren neuen Ergebnissen für H:Si(001)-(2×1), was interessante Rückschlüsse auf die Effekte der Adsorbatmasse zuläßt.