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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.40: Poster

Monday, March 17, 1997, 14:15–15:45, AULA

Austauschreaktion an der As/InP(110)-Grenzfläche? — •U. Großner, W.G. Schmidt und F. Bechstedt — Institut für Festkörpertheorie und Theoretische Optik, FSU Jena, Max-Wien-Platz 1, D-07743 Jena

Kürzlich publizierte Messungen der optischen Eigenschaften der As/InP(110)-Grenzfläche[1] weisen im Unterschied zur Rumpfniveauspektroskopie[2] auf eine bereits bei Zimmertemperatur stattfindende Austauschreaktion unter Bildung einer Monolage InAs hin Wir präsentieren Ergebnisse von ab-initio-Rechnungen zur Energetik sowie zur geometrischen, elektronischen und dynamischen Struktur der Grenzfläche. Die im Anfangszustandsbild berechneten Rumpfniveauverschiebungen zeigen, daß die gemessenen Werte auch mit einem Austausch bei Zimmertemperatur erklärt werden können. Die resultierende Struktur ist auch laut berechnetem Phasendiagramm in weiten Bereichen der chemischen Potentiale von As und In energetisch am günstigsten.

[1] P.V. Santos, B. Koopmans, N. Esser, W.G. Schmidt, and F. Bechstedt, Phys. Rev. Lett. 77 (1996) 759.

[2] A. Tulke and H. Lüth, Surf. Sci. 211/212 (1989) 1001; T. Chassé, G. Neuhold, and K. Horn, Surf. Sci. 331-333, (1995) 511.