Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.41: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Elektronische und strukturelle Eigenschaften von S:GaAs(001)-Oberflächen — •G. Hirsch, P. Krüger und J. Pollmann — Institut für Theoretische Physik II - Festkörperphysik, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, D-48149 Münster

Die Passivierung von GaAs(001)-Oberflächen durch Adsorption von S ist seit einiger Zeit Gegenstand intensiver experimenteller und theoretischer Untersuchungen. Dennoch ist die genaue Struktur der Adsorbatsysteme immer noch strittig. Wir haben für verschiedene S-Bedeckungsgrade sowohl die Eigenschaften der As- als auch der Ga-terminierten Oberfläche untersucht. Im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie wurden dazu Superzellen-Rechnungen unter Verwendung separabler normerhaltender Pseudopotentiale und eines Basissatzes lokalisierter Gaußorbitale durchgeführt. Bei einer Bedeckung mit einer halben Monolage S und einer halben Monolage As bzw. Ga bilden sich As-S bzw. Ga-S Dimere auf der Oberfläche. Speziell im Falle von As-S-Dimeren auf einer Ga-terminierten Oberfläche ist das Gap frei von Oberflächenzuständen. Bei einer Terminierung mit einer vollen Monolage S konnte keine Rekonstruktion festgestellt werden. Erst bei zusätzlicher Substitution von As durch S in einer tieferliegenden Schicht kommt es zu einer (2x1)-Rekonstruktion. In beiden Fällen adsorbieren die S-Atome in Brückenpositionen. Die verschiedenen Geometrien werden anhand der berechneten Bandstrukturen hinsichtlich ihrer Passivierungseigenschaften diskutiert.