Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.61: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Rauhigkeitsanalyse des Si Wachstums auf Si(100) und Si(111) mit Disilan CVD - eine Untersuchung mit SPA-LEED — •H. Goldbach, H.-L. Günter und M. Henzler — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr.2, D-30167 Hannover

Epitaxie von Silizium auf Si(100) und Si(111) durch CVD mit Disilan (Si₂H₆) wurde sowohl während als auch nach Abschluß des Aufwachsens mit SPA-LEED untersucht.

Auf der Si(111) Fläche führt das Wachstum bei Temperaturen um 500^∘C zu einer Facettierung. Es werden steile Facetten der Richtung (113) und flache hochindizierte Facetten beobachtet, deren Wachstum mit der Menge des abgeschiedenen Siliziums korreliert.

Auf der Si(100) Fläche konnte keine Facettierung beobachtet werden. Mit Profil-Analysen des 00-Beugungsreflexes wurden RMS-Rauhigkeiten bestimmt. Im Bereich niedriger Temperaturen (T∼480^∘C) und im Bereich hoher Temperaturen (T>540^∘C) wurden geringe Rauhigkeiten und Lage für Lage Wachstum beobachtet. Dagegen werden im mittleren Temperaturbereich extrem hohe Rauhigkeiten gefunden.

Sowohl die Facettierung der Si(111) Fläche als auch das Aufrauhen der Si(100) Fläche im mittleren Temperaturbereich können durch den Einfluß des adsorbierten Wasserstoffes erklärt werden.