Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 6: POSTER I
O 6.62: Poster
Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA
Charakterisierung des CVD-Wachstums auf Si(113) mit zeitaufgelösten Hochtemperatur-STM-Messungen — •V. Dorna, P. Kostall und U. Köhler — Institut für Experimentalphysik, Universität Kiel, Olshausenstr. 40, 24098 Kiel
Die reaktive Abscheidung von Disilan auf Si(113) bei Temperaturen von 400
bis 550∘C und Drücken bis 1·10−4 mbar wurde mit in situ
zeitaufgelösten STM-Messungen untersucht. Die durch unterschiedliche
Wasserstoffbedeckungen induzierten Überstrukturen sind dabei eng an die
beobachten Wachstumsmodi geknüpft. Für niedrige Drücke wird ein Gemisch
aus (2x7) und (2x5)-Überstrukturen beobachtet, wobei Wachstum im step flow
dominiert. Ein wachsender Grad an Anisotropie mit verringertem Wachstum
senkrecht zu [110] ist hierbei kennzeichnend. Nach dem Übergang zur (2x2)
nukleieren schmale Inselreihen in quasiperiodischer Anordnung. Auch bei
verhältnismäßig hoher Wachstumsrate rauht die Oberfläche kaum auf und
läßt sich anschließend reversibel in die ursprüngliche Struktur
überführen.
Als weiterer Punkt wurden Messungen zur reaktiven Abscheidung von
Eisencarbonyl auf Si(113) bei Temperaturen bis 600∘C durchgeführt.
Auch hier ist deutlich eine Asymmetrie der entstehenden Strukturen zu
erkennen.