Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
O: Oberflächenphysik
O 6: POSTER I
O 6.64: Poster
Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA
Hochtemperatur–STM–Untersuchungen zur Reaktion von aktiviertem Methan mit einer Si(111)7x7–Oberfläche — •F. Schäfer, A. Bianco und U. Köhler — Institut für Experimentalphysik, Universität Kiel, Olshausenstr. 40, 24098 Kiel
Messungen zur Reaktion von aktiviertem Methan mit Si(111) wurden im
Temperaturbereich zwischen 600∘C und 800∘C
und bei Drucken von 5x10−8 bis 5x10−5mbar durchgeführt.
Ohne Aktivierung mit Ionengetterpumpe oder heißem Filament konnte keine
Reaktion des Methans mit der Si(111)7x7–Oberfläche beobachtet werden. Bei Angebot
von aktiviertem Methan kommt es zur Bildung von bis zu 50 Å hohen Clustern
auf dem Substrat.
Die Keimdichte steigt mit dem Druck (d.h. mit der Rate) und fällt mit
steigender Temperatur wie
Rνexp(1/T). Wachstumsratenabhängig ist eine Konkurrenz zwischen
inhomogener Nukleation an Stufenkanten und homogener Nukleation auf der
Terrasse zu beobachten.
Zeitaufgelöste Messungen zeigen den Abtrag des
Si-Substrates während der Adsorption. Zwei Interpretationsmöglichkeiten
werden diskutiert: Teilweise SiC Bildung und/oder ein Ätzangriff des beim
Zerfall des Methans mit auf die Oberfläche gebrachten Wasserstoffs auf
das Si Substrat.