Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.65: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Intrinsische Spannungen von GeSi-Dünnschichten auf Si(001) und Si(111) — •Gerd Wedler, Jürgen Walz und Reinhold Koch — Institut für Experimentalphysik, Freie Universität Berlin

GeSi-Dünnschichten auf Si-Substraten sind von großem technologischen Interesse, weil mit ihnen unter anderem die Arbeitsgeschwindigkeit von Si-Bauelementen entscheidend erhöht werden kann. Aufgrund der verglichen mit reinem Si aufgeweiteten Elementarzelle von GeSi-Legierungen kommt es zu starken Verzerrungen der Gitterstruktur der Dünnschichten, die bei höheren Schichtdicken durch den Einbau von Versetzungen relaxiert werden, oft mit fatalen Folgen für die elektronischen Eigenschaften der Bauelemente. Wir präsentieren hier schichtdickenabhängige Messungen der intrinsischen Spannungen von reinen Ge- und Si-Schichten sowie GeSi-Legierungsschichten, welche im Temperaturbereich von 500 - 900 K auf Si(111)(7x7) bzw. Si(100)(1x2) aufgedampft wurden.