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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.66: Poster

Monday, March 17, 1997, 14:15–15:45, AULA

Struktur der Stranski-Kastranov-Schicht beim epitaktischen
Wachstum von Ge auf Si(111) mit Sb als Surfactant — •N. Theuerkauf, A. Zinner und B. Voigtländer — IGV, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich

Durch den Einsatz von Sb als Surfactant beim epitaktischen Wachstum von Ge auf Si kann Inselbildung bei Substrattemperaturen von 600^∘ C unterdrückt werden. Bei höheren Temperaturen (≥ 620 ^∘ C) stellt sich wieder Stranski-Kastranov-Wachstum ein. Die Struktur der Stranski-Kastranov-Schicht zwischen den dreidimensionalen Inseln wurde mit dem Rastertunnelmikroskop untersucht. Der größere Radius der Sb-Adatome induziert eine mechanische Verspannung in den Ge-Lagen, die diesen eine regelmäßige hexagonale (6√3× 6√3)R30^∘ -Überstruktur aufprägt. Im weitern werden quantitative Analysen und ein atomares Modell dieser Rekonstruktion, sowie Untersuchungen von Ge-Wachstum auf diesen Strukturen vorgestellt.