Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.7: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Elastische und inelastische He-Streuung an GaP(110): Struktur und Dynamik der Spaltfläche — •H. Tröger, W. Theis, G. König und K. H. Rieder — Institut für Experimentalphysik, Freie Universität Berlin

III-V-Verbindungs-Halbleiteroberflächen zeigen neben Rayleighmoden auch optische Zweige, die aufgrund ihrer Polarisation He-Streuung prinzipiell zugänglich sind. Im Gegensatz zu einer an GaAs beobachteten nahezu dispersionslosen Einsteinmode [1], wird für GaP als einem Vertreter mit größerer Massendifferenz eine leichte Dispersion erwartet [2].

Daher haben wir in situ erzeugte (110)-Spaltflächen von GaP mit elastischer He-Streuung charakterisiert; die Oberflächenphononen-Dispersion wurde entlang der Hochsymmetrierichtungen in Flugzeitexperimenten vermessen. Erste experimentelle Ergebnisse werden mit existierenden Rechnungen verglichen, sowie Untersuchungen an anderen III-V-Halbleitern gegenübergestellt.

[1] U. Harten, J.P. Toennies, Europhys. Lett. 4(7), 833 (1987)

[2] P.K. Das, Thesis, Texas A&M University, 1994