Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.72: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Epitaxie von Au auf GaAs(001) — •Matthias Köhler, Thomas Schweinböck, Frank Bensch, Matthias Brockmann und Günther Bayreuther — Institut für Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg

Das Wachstum von Au(001)-Schichten auf GaAs wurde in situ im Ultrahochvakuum mittels Rastertunnelmikroskopie (STM), Elektronenbeugung (RHEED, LEED) und Augerelektronenspektroskopie (AES) untersucht. Nach der Vorbehandlung (Ar-Ionen Beschuß und Heizen auf 600^∘C) ist die GaAs-Oberfläche frei von C bzw. O und zeigt die für As-Verarmung typische (2x4)-Rekonstruktion. Das Aufbringen einer Keimschicht von etwa 4ML Fe ermöglicht epitaktisches Wachstum von Au. Dabei tritt Oberflächensegregation von As auf, was zu einer p(2x2)-Überstruktur führt. Durch dosierten Beschuß mit Ar-Ionen lassen sich solche Verunreinigungen entfernen und man erhält die (5x20)-Rekonstruktion der sauberen Au-Oberfläche mit Vorzugsrichtung von Stufenkanten entlang {110}. Tempern der Schicht bei etwa 400^∘C führt zu Diffusion von Ga und – in geringerem Maße – As an die Oberfläche und bewirkt eine beträchtliche Glättung sowie sehr ausgeprägte RHEED-Oszillationen bei fortgeführtem Wachstum.