Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.8: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

InP(001)-Oberflächen: Vergleich von verschiedenen Oberflächenpräparationen — •J. Kinsky, Ch. Schultz, D. Pahlke, A. M. Frisch, T. Herrmann, N. Esser und W. Richter — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, 10623 Berlin

MOVPE gewachsene InP(100)-Oberflächen wurden in situ mit einem As/P-Cap versehen. Durch thermische Desorption im UHV wurden reine InP(001)-Probenoberflächen präpariert und mit Sputtern/Annealen präparierten Proben verglichen. Zur Charakterisierung der Eigenschaften der Oberfläche wurden oberflächenempfindliche Meßmethoden wie LEED
(Low Energy Electron Diffraction), RAS (Reflectance Anisotropy Spectroscopy), AES (Auger Electron Spectroscopy), HREELS (High Resolution Energy Electron Loss Spectroscopy) und SXPS (Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy) herangezogen. Bei beiden Präparationsmethoden zeigten die Oberflächen eine (2x4)-Rekonstruktion und sehr ähnliche RAS-Spektren, wobei die Oberflächen der durch Desorption des Caps präparierten Proben indiumreicher ist. Sowohl die In4d als auch die P2p Rumpfniveauspektren zeigen bei beiden Präparationen Surface Core Level Shifts. Qualitativ ist festzustellen, daß die durch Sputtern und Annealen präparierten Probenoberflächen größere Rauhigkeiten zeigen als die decappten Probenoberflächen.